DDR2-1A CANON 模塊

　　型號：DDR2-1A

　　品牌：CANON

　　DDR2引入了三項新的技術，它們是OCD、ODT和PostCAS。

　　OCD（Off-ChipDriver）：也就是所謂的離線驅(qū)動調(diào)整。

　　ODT：ODT是內(nèi)建核心的終結(jié)電阻器。

　　PostCAS：它是為了提高DDR2內(nèi)存的利用效率而設定的。

　　產(chǎn)品描述

　　DDR2/DDR II（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC進行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術標準，它與上一代DDR內(nèi)存技術標準大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降沿同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但DDR2內(nèi)存卻擁有兩倍以上一代DDR內(nèi)存預讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)讀預取）。換句話說，DDR2內(nèi)存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運行。

　　由于DDR2標準規(guī)定所有DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式，而不同于廣泛應用的TSOP/TSOP-Ⅱ封裝形式，F(xiàn)BGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了堅實的基礎。回想起DDR的發(fā)展歷程，從代應用到個人電腦的DDR200經(jīng)過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術，代DDR的發(fā)展也走到了技術的極限，已經(jīng)很難通過常規(guī)辦法提高內(nèi)存的工作速度；隨著Intel新處理器技術的發(fā)展，前端總線對內(nèi)存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩(wěn)定運行頻率的DDR2內(nèi)存將是大勢所趨

　　出于兼容性的考慮，DDR2標準在制定之初似乎顯得有些縮手縮腳，這也直接導致其各方面表現(xiàn)比起DDR沒有長足進步。新一代的DDR3采用了ODT（核心整合終結(jié)器）技術以及用于優(yōu)化性能的EMRS技術，同時也允許輸入時鐘異步。在針腳定義方面，DDR3表現(xiàn)出很強的立性，甚至敢于拋棄TSOPⅡ與mBGA封裝形式，采用更為的FBGA封裝。DDR3內(nèi)存用了0.08微米制造工藝制造，將工作在1.5V的電壓下。

　　從長遠趨勢來看，擁有單芯片位寬以及頻率和功耗優(yōu)勢的DDR3是令人鼓舞的。

　　DDR3正逐步加速取代DDR2，DDR3已成為裝機的主流和標配。